原位測(cè)試LED芯片附著層導(dǎo)熱率的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210282545.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114674868A 公開(kāi)（公告）日 2022-06-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN114674868A 申請(qǐng)公布日 2022-06-28
分類(lèi)號(hào) G01N25/20（2006.01）I 分類(lèi) 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 易典;王榮福 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 深圳市漢嵙新材料技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 代理人 -
地址 518100廣東省深圳市光明新區(qū)公明街道上村社區(qū)冠城低碳產(chǎn)業(yè)園D棟1001
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種原位測(cè)試LED芯片附著層導(dǎo)熱率的方法，其包括如下步驟：獲取多個(gè)測(cè)試工件，獲取各測(cè)試工件的截面面積及芯片附著層的厚度；將測(cè)試工件置于溫度恒定的環(huán)境下通電，通電時(shí)依次向各測(cè)試工件施加多個(gè)電流值不相同的加熱電流，對(duì)應(yīng)獲取施加各電流時(shí)測(cè)試工件的電功率PE、光功率PL及LED功能主體的溫度Tj，將獲得的數(shù)據(jù)以PE?PL為自變量、以Tj為因變量進(jìn)行線性擬合，擬合所得直線的斜率為總熱阻Rth；以測(cè)試工件中芯片附著層的厚度d為自變量、以各測(cè)試工件的總熱阻Rth為因變量進(jìn)行線性擬合，所得直線的斜率為芯片附著層單位厚度上的熱阻Rs。上述原位測(cè)量LED芯片附著層導(dǎo)熱率的方法的測(cè)量精度處于5％以內(nèi)，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)于芯片附著層的導(dǎo)熱率的測(cè)量。