采用MOCVD工藝制備REBCO高溫超導(dǎo)帶材的方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911140603.0 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN111020528B | 公開(公告)日 | 2021-11-19 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111020528B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-19 |
分類號(hào) | C23C16/40(2006.01)I;H01B12/02(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 熊旭明;邰林益;任洪峰;邢曉杰;王昊;蔡淵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 蘇州新材料研究所有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 范晴;程?hào)|輝 |
地址 | 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街218號(hào)生物納米園C18棟 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請(qǐng)公開了一種采用MOCVD技術(shù)制備REBCO高溫超導(dǎo)帶材的方法,包括:S1、將金屬有機(jī)源送至霧化器,使其霧化;S2、霧化后的金屬有機(jī)源送至蒸發(fā)器,使其蒸發(fā)成金屬有機(jī)源氣體;S3、將金屬有機(jī)源氣體送入MOCVD反應(yīng)室,制得REBCO超導(dǎo)薄膜;霧化器包括:內(nèi)管,外管,由內(nèi)管的管腔形成的內(nèi)流道,形成于內(nèi)管和外管間的外流道;在步驟S1中,將金屬有機(jī)源溶液通入內(nèi)流道并從內(nèi)流道的輸出口噴出,將金屬有機(jī)源溶劑通入外流道并從外流道的輸出口噴出,并沖刷所述內(nèi)流道的輸出口。本申請(qǐng)可獲得更高的沉積速率和更高的產(chǎn)能。 |
