一種MOCVD反應(yīng)系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911248872.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113025995A 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN113025995A 申請公布日 2021-06-25
分類號 C23C16/455;C23C16/46 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 田卡;熊旭明;林向陽;迮建軍;蔡淵 申請（專利權(quán)）人 蘇州新材料研究所有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 范晴;程東輝
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街218號生物納米園C18棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種MOCVD反應(yīng)系統(tǒng)，包括：MOCVD反應(yīng)腔室，布置于所述MOCVD反應(yīng)腔室內(nèi)的加熱板，布置于所述加熱板上方的噴淋器；所述噴淋器具有朝向所述加熱板方向噴射金屬有機源氣體的噴淋孔；所述噴淋器上固定連接有分別擋在所述噴淋孔左、右兩側(cè)的兩塊擋板。本申請可提高金屬有機源氣體進入MOCVD反應(yīng)腔室時的混合效率和均勻性，進而提升超導(dǎo)薄膜質(zhì)量。