一種基于銦鎵砷的波長拓展型紅外探測器的外延片結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911026640.9 申請日 -
公開（公告）號 CN110634969A 公開（公告）日 2019-12-31
申請公布號 CN110634969A 申請公布日 2019-12-31
分類號 H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/105;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧亮亮 申請（專利權(quán)）人 南昌鼎創(chuàng)光電科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京遠(yuǎn)大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 南昌鼎創(chuàng)光電科技有限責(zé)任公司
地址 330000 江西省南昌市南昌高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)京東大道168號(光電廠房)一層北側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于銦鎵砷的波長拓展型紅外探測器的外延片結(jié)構(gòu)，包括InP襯底，所述InP襯底頂部設(shè)有In0.53Ga0.47As腐蝕阻止層，所述In0.53Ga0.47As腐蝕阻止層頂部設(shè)有InP緩沖層，所述InP緩沖層頂部設(shè)有In0.53Ga0.47As吸收層，所述In0.53Ga0.47As吸收層頂部設(shè)有非摻雜的本征InP層，所述非摻雜的本征InP層頂部設(shè)有In0.53Ga0.47As接觸層。采用In0.53Ga0.47As接觸層，克服了電極金屬和InP之間的接觸電阻問題，形成了良好的歐姆接觸，器件的串聯(lián)電阻明顯降低；采用襯底去除的方法，成功將短波紅外探測器的響應(yīng)光譜延伸到可見光，實(shí)現(xiàn)了可見光?短波紅外的寬光譜探測，大大豐富了成像目標(biāo)的信息和識別率。