一種低粗糙度硅拋光片的加工方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710044155.5 申請日 -
公開（公告）號 CN101352829A 公開（公告）日 2009-01-28
申請公布號 CN101352829A 申請公布日 2009-01-28
分類號 B24B29/00(2006.01);B24B1/00(2006.01);H01L21/304(2006.01);C09G1/04(2006.01) 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 李繼光;顧凱峰 申請（專利權(quán)）人 無錫光煒電子材料有限公司
代理機構(gòu) 上海世貿(mào)專利代理有限責(zé)任公司 代理人 嚴(yán)新德
地址 201617上海市松江區(qū)閔塔路808號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種低粗糙度硅拋光片的加工方法，包括一個利用拋光機對硅單晶片進(jìn)行拋光處理的過程，該過程中順序包括有粗拋過程、中拋過程和精拋過程，在精拋過程中，利用拋光布對硅單晶片進(jìn)行拋光加工，在拋光布和硅單晶片表面之間引進(jìn)精拋漿，精拋漿由純水和活化劑組成。本發(fā)明加工的硅片的表面粗糙度可以提高到3－5′，性能穩(wěn)定，電阻率均勻。