一種低粗糙度硅拋光片的加工方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN200710044155.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN101352829B | 公開（公告）日 | 2012-01-11 |
| 申請公布號 | CN101352829B | 申請公布日 | 2012-01-11 |
| 分類號 | B24B29/00(2006.01)I;B24B1/00(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;C09G1/04(2006.01)I | 分類 | 磨削；拋光; |
| 發(fā)明人 | 李繼光;顧凱峰 | 申請（專利權(quán)）人 | 無錫光煒電子材料有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 上海世貿(mào)專利代理有限責任公司 | 代理人 | 嚴新德 |
| 地址 | 201617 上海市松江區(qū)閔塔路808號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種低粗糙度硅拋光片的加工方法，包括一個利用拋光機對硅單晶片進行拋光處理的過程，該過程中順序包括有粗拋過程、中拋過程和精拋過程，在精拋過程中，利用拋光布對硅單晶片進行拋光加工，在拋光布和硅單晶片表面之間引進精拋漿，精拋漿由純水和活化劑組成。本發(fā)明加工的硅片的表面粗糙度可以提高到3-5，性能穩(wěn)定，電阻率均勻。 |
