一種真空鍍膜晶振信號(hào)近距離處理裝置及真空鍍膜設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110411824.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113122817A 公開（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113122817A 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類號(hào) C23C14/54（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 戰(zhàn)永剛;馮紅濤;戰(zhàn)捷;周林;尹強(qiáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市三束鍍膜技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 劉曰瑩;彭濤
地址 518000廣東省深圳市龍華區(qū)福城街道福民社區(qū)核電工業(yè)園5號(hào)101
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種真空鍍膜晶振信號(hào)近距離處理裝置及真空鍍膜設(shè)備，該處理裝置包括容置腔體和晶控系統(tǒng)，所述容置腔體固定于真空室的工件架內(nèi)并隨所述工件架運(yùn)動(dòng)，所述容置腔體的頂部密封連接一管道，所述管道穿過所述工件架和真空室與外部大氣相連通；所述管道與所述工件架間、所述管道與所述真空室間均密封連接；所述晶控系統(tǒng)包括：晶控探頭、振蕩包、膜厚控制儀，所述振蕩包和所述膜厚控制儀通信連接，并安裝于所述容置腔體內(nèi)，所述晶控探頭安裝于工件架上，所述晶控探頭通過一信號(hào)線與容置腔體內(nèi)的振蕩包相連接；所述信號(hào)線與所述容置腔體間密封連接。本發(fā)明解決了“跳晶控”問題，保證了鍍膜操作的穩(wěn)定性。