一種GaAs基偏振光分束器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111327715.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113866993A 公開（公告）日 2021-12-31
申請公布號 CN113866993A 申請公布日 2021-12-31
分類號 G02B27/28（2006.01）I;G02B1/00（2006.01）I 分類 光學;
發(fā)明人 邱德全;范鑫燁;邱德武;邱德才 申請（專利權(quán)）人 中企科信技術(shù)股份有限公司
代理機構(gòu) 濟南譽琨知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 郝泳銳
地址 252000山東省聊城市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)上海路89號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于光學器件應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，涉及偏振光分束器，尤其涉及一種GaAs基偏振光分束器及其制備方法。包括GaAs光柵襯底，所述GaAs光柵襯底的上方設(shè)置有上層光柵，所述上層光柵包括以Al2O3為材質(zhì)的Al2O3光柵塊和以AlGaAs為材質(zhì)的AlGaAs光柵塊，其中，所述Al2O3光柵塊和AlGaAs光柵塊交替設(shè)置，所述上層光柵的厚度小于GaAs光柵襯底的厚度設(shè)置。本發(fā)明通過Al2O3和AlGaAs為材質(zhì)的光柵條結(jié)構(gòu)、GaAs襯底，能夠?qū)?00?880nm（80nm）寬光譜范圍的入射光束分成TE、TM兩束正交偏振光，并且對TE模式偏振光的反射率大于95％，最大可達到99.99％，對TM模式偏振光的透射率大于96％，最大可達99.94％，且偏振消光比大于10dB，在830?860nm光譜范圍偏振消光比可以達到20dB以上，最高可達41.37dB。