防止硅片電阻局部放電失效的方法、結(jié)構(gòu)及功率半導(dǎo)體器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911368420.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113053856A | 公開（公告）日 | 2021-06-29 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113053856A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-29 |
| 分類號(hào) | H01L23/60;H01L27/02 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 齊放;李道會(huì);王彥剛;戴小平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 湖南兆弘專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 周長清;廖元寶 |
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰區(qū)田心高科園半導(dǎo)體三線辦公大樓1樓101室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種防止硅片電阻作為門極電阻產(chǎn)生局部放電失效的方法、結(jié)構(gòu)及功率半導(dǎo)體器件，屬于高壓功率模塊技術(shù)領(lǐng)域，用于解決由于硅片電阻作為門極電阻產(chǎn)生局部放電失效的問題。采用的技術(shù)方案為：通過綁定線或者優(yōu)化襯板或者優(yōu)化硅片電阻的方式，使得硅片電阻上下表面的電位處于同一水平，進(jìn)而使得硅片電阻整體處于同一電位水平。本發(fā)明的方法、結(jié)構(gòu)及功率半導(dǎo)體器件具有操作簡便、避免硅片電阻作為門極電阻出現(xiàn)局部放電失效、消除電荷積累，提高工作可靠性等優(yōu)點(diǎn)。 |
