功率端子、功率模塊封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911337841.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111162051B 公開（公告）日 2021-08-03
申請公布號 CN111162051B 申請公布日 2021-08-03
分類號 H01L23/492;H01L23/49;H01L23/60;H01L21/60 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 戴小平;齊放;李道會;李想;吳義伯;王彥剛 申請（專利權(quán)）人 湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京聿宏知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳大建;何嬌
地址 412001 湖南省株洲市石峰區(qū)田心高科園半導(dǎo)體三線辦公大樓一樓101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種功率端子、功率模塊封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，涉及功率模塊領(lǐng)域，其用于實(shí)現(xiàn)應(yīng)用電路的低電感設(shè)計。發(fā)明的功率端子，包括輸出端子和輸入端子，輸入端子包括層疊設(shè)置的正極端子和負(fù)極端子，正極端子和負(fù)極端子相互平行且具有相同的寬度。通過將正極端子和負(fù)極端子層疊設(shè)置，使二者盡量平行對稱，從而在功率器件環(huán)流中，正負(fù)功率端子之間會形成大小相同、方向相反的電流，磁場相消，從而降低回路的雜散電感。