一種碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911366027.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113054829A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN113054829A 申請(qǐng)公布日 2021-06-29
分類號(hào) H02M1/088;H02M1/38;H02M1/12;H02H7/12 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 劉洋;齊放;曾亮;柯攀;戴小平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 湖南兆弘專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 周長(zhǎng)清;廖元寶
地址 412001 湖南省株洲市石峰區(qū)田心高科園半導(dǎo)體三線辦公大樓1樓101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)電路，包括抗橋臂串?dāng)_電路，所述抗橋臂串?dāng)_電路包括驅(qū)動(dòng)芯片U1、電容C5和開(kāi)關(guān)管T1，所述驅(qū)動(dòng)芯片U1的輸出端與所述電容C5的一端相連，并與碳化硅MOSFET的柵極相連；所述電容C5的另一端與所述開(kāi)關(guān)管T1的集電極相連，所述開(kāi)關(guān)管T1的發(fā)射極與所述碳化硅MOSFET的源極相連且與接地端GND3相連，所述開(kāi)關(guān)管T1的基極與所述碳化硅MOSFET的柵極相連。本發(fā)明的碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、防止橋臂串?dāng)_、抑制共模干擾、短路保護(hù)及過(guò)壓保護(hù)等優(yōu)點(diǎn)。