一種全橋功率模塊的封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110986037.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113725200A 公開（公告）日 2021-11-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN113725200A 申請(qǐng)公布日 2021-11-30
分類號(hào) H01L25/07（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖光朝;張小兵 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 重慶云潼科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 潘登
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道秀新社區(qū)寶東路5號(hào)協(xié)和廠B區(qū)1號(hào)樓401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種全橋功率模塊的封裝結(jié)構(gòu)。全橋功率模塊的封裝結(jié)構(gòu)包括引線框架，引線框架包括上橋基島和下橋基島；第一晶體管組件，第一晶體管組件包括m個(gè)間隔設(shè)置的第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶粒；第二晶體管組件，第二晶體管組件包括m個(gè)第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶粒；m個(gè)間隔設(shè)置的第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶粒的漏極串聯(lián)電連接；第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶粒的漏極與第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶粒的源極一一對(duì)應(yīng)，且電連接；第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶粒的漏極作為信號(hào)輸出端。本發(fā)明達(dá)到了減小應(yīng)用全橋功率模塊的印刷電路板的體積，提高散熱效果。