一種電子束及渣濾熔煉提純多晶硅的方法及設備
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201110125905.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN102145894B | 公開(公告)日 | 2013-06-05 |
申請公布號 | CN102145894B | 申請公布日 | 2013-06-05 |
分類號 | C01B33/037(2006.01)I | 分類 | 無機化學; |
發(fā)明人 | 譚毅;戰(zhàn)麗姝;姜大川;顧正;鄒瑞洵 | 申請(專利權)人 | 大連隆盛科技有限公司 |
代理機構 | - | 代理人 | - |
地址 | 266000 山東省青島市即墨市普東鎮(zhèn)太陽能產業(yè)基地 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束及渣濾熔煉提純多晶硅的方法,在熔煉坩堝中加熱熔化造渣劑形成造渣劑熔液,并保持其液態(tài),同時通過加料裝置向水冷銅坩堝中連續(xù)加入高磷、高硼和高金屬的多晶硅料,硅料在電子束轟擊下熔化成硅熔液,并熔煉去除雜質磷;除磷后的低磷硅熔液導流進入到造渣劑熔液之中,在熔入的過程中,硅熔液中的雜質硼與造渣劑反應去除雜質硼,加滿料后將熔煉坩堝中的熔液加熱保持液態(tài)熔煉3-10分鐘,定向凝固,切去硅錠頂部廢渣及金屬含量較高的硅塊即可。本發(fā)明綜合利用電子束熔煉除磷、渣濾熔煉除硼及定向凝固除金屬的技術去除多晶硅中的磷、硼和金屬雜質,提純效果好,生產效率高,適合批量生產。 |
