一種波導(dǎo)型光電探測(cè)器及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811379149.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111211181B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111211181B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L31/0232（2014.01）I;H01L31/028（2006.01）I;H01L31/105（2006.01）I;H01L31/109（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 汪巍;方青;余明斌 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京知元同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉元霞 |
| 地址 | 201800上海市嘉定區(qū)城北路235號(hào)3號(hào)樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N波導(dǎo)型光電探測(cè)器及其制造方法，該波導(dǎo)型光電探測(cè)器包括：位于襯底表面的第一絕緣層；位于所述第一絕緣層表面的下接觸層；位于所述下接觸層表面的光電轉(zhuǎn)換層，所述光電轉(zhuǎn)換層的材料包含鍺（Ge）；位于所述光電轉(zhuǎn)換層表面的上接觸層；以及形成于所述第一絕緣層上方的氮化硅波導(dǎo)，所述氮化硅波導(dǎo)在平行于所述襯底表面的橫向上延伸，并且，在所述橫向上，所述氮化硅波導(dǎo)的一個(gè)端部與所述光電轉(zhuǎn)換層連接，所述氮化硅波導(dǎo)傳遞的光入射到所述光電轉(zhuǎn)換層，并在所述光電轉(zhuǎn)換層中生成光電流。根據(jù)本實(shí)施例，由SiN形成波導(dǎo)，因此，能提高光的傳輸效率；并且，SiN波導(dǎo)與光電轉(zhuǎn)換層端面耦合，能提高光探測(cè)效率。 |
