一種半導(dǎo)體器件及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710861660.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109545671B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109545671B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/18（2006.01）I;G01L9/00（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 梁凱智 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京知元同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉元霞 |
| 地址 | 201800上海市嘉定區(qū)城北路235號(hào)3號(hào)樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制造方法，所述制造方法包括：在第一基片的正面形成傳感器結(jié)構(gòu)和/或電路；在第二基片的正面形成第一凹陷部；所述第一基片的正面與所述第二基片的正面結(jié)合，其中，所述第一基片與所述第一凹陷部圍合成腔體，并且，所述傳感器結(jié)構(gòu)和/或所述電路位于所述腔體的橫向區(qū)域內(nèi)；從所述第一基片的背面減薄所述第一基片，減薄后的所述第一基片成為轉(zhuǎn)移薄膜；以及刻蝕所述轉(zhuǎn)移薄膜，以在所述轉(zhuǎn)移薄膜中形成貫通所述轉(zhuǎn)移薄膜并且與所述腔體連通的貫通部，所述貫通部位于所述傳感器結(jié)構(gòu)和/或所述電路周?chē)?。根?jù)本申請(qǐng)，能夠充分釋放半導(dǎo)體器件中的應(yīng)力。 |
