一種建立晶圓形貌OPC模型的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711012988.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107844644B 公開（公告）日 2021-09-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN107844644B 申請(qǐng)公布日 2021-09-14
分類號(hào) G06F30/3308 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 時(shí)雪龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 吳世華;陳慧弘
地址 201210 上海市浦東新區(qū)張江高斯路497號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種建立晶圓形貌OPC模型的方法：S01：將成像系統(tǒng)中的部分相干光分解為獨(dú)立的成像核Φi；S02：計(jì)算從Φi來的不同的平面波到晶圓表面的入射場(chǎng)；S03：計(jì)算Φi在晶圓表面上的反射場(chǎng)；S04：分別計(jì)算Φi在晶圓表面上的散射場(chǎng)；其中，晶圓表面發(fā)生散射的地方為散射源，Φi在晶圓表面上的散射場(chǎng)為各個(gè)散射源散射光的總和；S05：計(jì)算晶圓表面成像系統(tǒng)中的部分相干光在光刻膠中的總光強(qiáng)分布函數(shù)；S06：將上述總光強(qiáng)分布函數(shù)帶入OPC模型中進(jìn)行待曝光光罩的OPC修正。本發(fā)明提供的計(jì)算方法可以準(zhǔn)確計(jì)算晶圓表面光刻膠中的總光強(qiáng)分布函數(shù)，使得OPC模型精度得到改善，從而提高半導(dǎo)體器件性能和可靠性。