一種全息光柵模板及其制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910785400.0 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN110456435B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-10-01 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN110456435B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-01 |
分類號(hào) | G02B5/18(2006.01)I;G02B5/32(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 分類 | 光學(xué); |
發(fā)明人 | 楊渝書(shū);伍強(qiáng);李艷麗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 上海集成電路研發(fā)中心有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 曹廷廷 |
地址 | 201210上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)高斯路497號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種全息光柵模板及其制備方法,全息光柵模板的制備方法包括:提供一襯底,襯底上依次形成有硬掩模層和圖形化的光刻膠層,光刻膠層具有圖形;以圖形化的光刻膠層為掩模,刻蝕硬掩模層,將圖形復(fù)制至硬掩模層中,以形成圖形化的硬掩模層;對(duì)襯底執(zhí)行離子注入工藝,在離子注入?yún)^(qū)得到光柵模板圖形區(qū);刻蝕硬掩模層并暴露出襯底;刻蝕襯底的非離子注入?yún)^(qū),以暴露出光柵模板圖形區(qū),并形成全息光柵模板。通過(guò)離子注入工藝得到所需形狀的光柵結(jié)構(gòu)區(qū),經(jīng)過(guò)高刻蝕選擇比刻蝕保留光柵結(jié)構(gòu)區(qū),從而得到全息光柵模板,工藝難度較低,工藝可行性高;通過(guò)在襯底上直接形成光柵結(jié)構(gòu)區(qū),避免了光刻工藝的轉(zhuǎn)版步驟,減少了工藝步驟,降低了生產(chǎn)成本。 |
