一種深紫外LEDs制備方法及深紫外LEDs
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011610434.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114695603A | 公開（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114695603A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-01 |
| 分類號(hào) | H01L33/00（2010.01）I;H01L33/40（2010.01）I;H01L33/42（2010.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳洋;孫曉娟;黎大兵;蔣科;賁建偉;張山麗 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市科進(jìn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 130033吉林省長春市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)東南湖大路3888號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供的深紫外LEDs制備方法，以過原位生長的圖案化石墨烯作為深紫外LEDs的p接觸層，同時(shí)利用原位摻雜方法調(diào)控石墨烯的能級(jí)，替代傳統(tǒng)的紫外光吸收p?GaN接觸層材料，進(jìn)而提高深紫外LEDs的光取出效率，本發(fā)明提供的深紫外LEDs制備方法為制備高功率、頂出射的深紫外LEDs提供了一種簡便、可行的新方案。另外，本發(fā)明還提供了一種由上述制備方法制備得到的深紫外LEDs。 |
