一種紅光LED倒裝芯片結(jié)構(gòu)及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810788562.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN109037406A | 公開（公告）日 | 2018-12-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109037406A | 申請(qǐng)公布日 | 2018-12-18 |
| 分類號(hào) | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李盼盼;王素景 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京阿吉必信息科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京常青藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 南京阿吉必信息科技有限公司 |
| 地址 | 210000 江蘇省南京市雨花臺(tái)區(qū)西春路1號(hào)創(chuàng)智大廈南樓一樓-022 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種紅光LED倒裝芯片結(jié)構(gòu)及制備方法，包括藍(lán)光LED倒裝芯片和設(shè)在所述藍(lán)光LED倒裝芯片上的第二紅光量子阱結(jié)構(gòu)，所述第二紅光量子阱結(jié)構(gòu)上設(shè)有DBR，藍(lán)光LED倒裝芯片采用電注入發(fā)光，對(duì)設(shè)有所述DBR的所述第二紅光量子阱結(jié)構(gòu)進(jìn)行泵浦，所述第二紅光量子阱結(jié)構(gòu)被光致發(fā)光，所述DBR對(duì)藍(lán)光進(jìn)行反射并對(duì)紅光進(jìn)行増透，用于實(shí)現(xiàn)發(fā)射窄帶寬的紅光。本發(fā)明降低紅光LED倒裝芯片制備工藝難度，提高芯片成品率和可靠性，節(jié)約成本。 |
