可重構(gòu)環(huán)形天線中基于臺(tái)狀有源區(qū)PIN二極管串的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201611184336.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107068560B 公開（公告）日 2018-11-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN107068560B 申請(qǐng)公布日 2018-11-27
分類號(hào) H01L21/329;H01L29/868;H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q7/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 尹曉雪;張亮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 吳江科技創(chuàng)業(yè)園管理服務(wù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司;吳江科技創(chuàng)業(yè)園管理服務(wù)有限公司
地址 710065 陜西省西安市高新區(qū)高新路86號(hào)領(lǐng)先時(shí)代廣場(chǎng)(B座)第2幢1單元22層12202號(hào)房51號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種可重構(gòu)環(huán)形天線中基于臺(tái)狀有源區(qū)PIN二極管串的制備方法。該制備方法包括：(a)選取SOI襯底；(b)刻蝕SOI襯底形成臺(tái)狀有源區(qū)；(c)對(duì)所述臺(tái)狀有源區(qū)四周利用原位摻雜工藝分別淀積P型Si材料和N型Si材料形成P區(qū)和N區(qū)；(d)在所述臺(tái)狀有源區(qū)四周淀積多晶Si材料；(e)在所述多晶Si材料表面制作引線并光刻PAD以形成所述PIN二極管。本發(fā)明實(shí)施例利用原位摻雜工藝能夠制備并提供適用于形成固態(tài)等離子天線的高性能基于臺(tái)狀有源區(qū)的PIN二極管串。