一種減反射膜抗PID性能的測試方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610755545.2 申請日 -
公開(公告)號 CN106253850B 公開(公告)日 2018-09-14
申請公布號 CN106253850B 申請公布日 2018-09-14
分類號 H02S50/10 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 崔會英;錢亮;蔣碩;仲崇嬌;嵇友誼;錢晟浩 申請(專利權(quán))人 奧特斯維能源(太倉)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 鞏克棟;侯桂麗
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)成灌路西段839號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種減反射膜抗PID性能的測試方法,包括如下步驟:(1)將硅片清洗、制絨、鍍減反射膜、燒結(jié)退火;(2)在步驟(1)所得硅片表面連續(xù)撒電荷,同時檢測硅片表面的電壓值;(3)對比硅片表面電壓與電荷量,若硅片表面電壓隨著電荷量呈線性增加,則說明減反射膜絕緣性能較好,則后續(xù)的電池或組件具備抗PID性能好;否則說明減反射膜絕緣性能較差,后續(xù)的電池或組件抗PID性能較差。本發(fā)明提供的測試方法可在電池制造過程中快速準(zhǔn)確地測試減反射膜抗PID效應(yīng),從而減少組件測試中帶來的浪費(fèi)。