一種測(cè)試標(biāo)片制作方法及測(cè)試標(biāo)片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710594645.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109285895A 公開(kāi)（公告）日 2019-01-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN109285895A 申請(qǐng)公布日 2019-01-29
分類號(hào) H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王雪亮;胡冰峰;羅茂盛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 奧特斯維能源（太倉(cāng)）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 奧特斯維能源（太倉(cāng)）有限公司;太倉(cāng)海潤(rùn)太陽(yáng)能有限公司
地址 215434 江蘇省蘇州市太倉(cāng)市港口開(kāi)發(fā)區(qū)平江路88號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及晶體硅太陽(yáng)能電池制造領(lǐng)域，尤其涉及一種測(cè)試標(biāo)片制作方法及測(cè)試標(biāo)片。其中，測(cè)試標(biāo)片制作方法包括：對(duì)硅片的雙面進(jìn)行制絨；對(duì)硅片的正面進(jìn)行擴(kuò)散；對(duì)硅片的雙面進(jìn)行邊緣刻蝕；在硅片的正面印刷細(xì)柵；對(duì)硅片進(jìn)行一次燒結(jié)；對(duì)硅片的正面鍍減反膜；在硅片的背面印刷背極；在硅片的背面印刷背場(chǎng)；在硅片的正面印刷主柵；對(duì)硅片進(jìn)行二次燒結(jié)。通過(guò)在鍍減反膜之前先進(jìn)行細(xì)柵的印刷和一次燒結(jié)，在鍍減反膜之后進(jìn)行主柵的印刷和二次燒結(jié)，測(cè)試標(biāo)片在使用的過(guò)程中能夠減少細(xì)柵與外界氧氣的接觸，避免細(xì)柵的磨損，從而降低測(cè)試標(biāo)片在使用過(guò)程中的衰減，延長(zhǎng)測(cè)試標(biāo)片的使用壽命。