一種管式PECVD沉積氮化硅的工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610748278.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106299025B 公開（公告）日 2018-09-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN106299025B 申請(qǐng)公布日 2018-09-14
分類號(hào) H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/318;C23C16/34;C23C16/505;C23C16/511;C23C16/52 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳文浩;王冕;奚彬;劉仁中 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 奧特斯維能源（太倉）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 鞏克棟;侯桂麗
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)成灌路西段839號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種管式PECVD沉積氮化硅的工藝，使用兩步鍍膜，鍍第一層膜時(shí)使用的溫度低于鍍第二層膜時(shí)使用的溫度。本發(fā)明提供的沉積工藝提高管式PECVD沉積氮化硅薄膜對(duì)晶硅太陽電池的鈍化減反射效果以及降低工藝時(shí)間。