一種多晶硅鑄錠用熔化長(zhǎng)晶工藝
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710495608.X | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN109112620A | 公開(kāi)(公告)日 | 2019-01-01 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN109112620A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-01-01 |
分類號(hào) | C30B28/06;C30B29/06 | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
發(fā)明人 | 宋江;郭寬新 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 奧特斯維能源(太倉(cāng))有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 奧特斯維能源(太倉(cāng))有限公司;泗陽(yáng)瑞泰光伏材料有限公司 |
地址 | 215434 江蘇省蘇州市太倉(cāng)市港口開(kāi)發(fā)區(qū)平江路88號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種多晶硅鑄錠用熔化長(zhǎng)晶工藝,包括:1)熔化后期階段:在熔化過(guò)程的最后1?5h,將熔化溫度控制在1480~1510℃,鑄錠爐的隔熱籠開(kāi)度控制在3~6cm;2)熔化測(cè)量跳步操作:依照鑄錠爐底部硅固體剩余高度和當(dāng)前的熔化速度來(lái)共同確定跳步時(shí)機(jī);3)長(zhǎng)晶前期階段:降溫時(shí)間控制在20~40min,降溫目標(biāo)設(shè)定在1430~1440℃,隔熱籠開(kāi)度控制在5~7cm。鑄錠爐包括爐體、設(shè)置在爐體內(nèi)并能夠升降的隔熱籠、設(shè)置在隔熱籠內(nèi)的坩堝、設(shè)置于坩堝底部的矩形石墨塊、設(shè)置于石墨塊下方并能夠封閉隔熱籠底部的隔熱墊,隔熱墊的橫截面為凸形。使用本發(fā)明,可以鑄造小晶粒高效多晶,熔化周期比半熔熔化周期短2h以上,良率高3%以上,鑄錠品質(zhì)比全熔高效鑄錠的含氧量更低,粘堝裂錠風(fēng)險(xiǎn)更小。 |
