一種準單晶鑄錠加熱熱場結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710542350.4 申請日 -
公開（公告）號 CN109208067A 公開（公告）日 2019-01-15
申請公布號 CN109208067A 申請公布日 2019-01-15
分類號 C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 郭寬新;宋江;邊志堅;張斌;李紅波 申請（專利權(quán)）人 奧特斯維能源（太倉）有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 奧特斯維能源（太倉）有限公司;泗陽瑞泰光伏材料有限公司
地址 215434 江蘇省蘇州市太倉市港口開發(fā)區(qū)平江路88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種準單晶鑄錠加熱熱場結(jié)構(gòu)，包括爐體，爐體內(nèi)設置有隔熱籠，隔熱籠內(nèi)部設置有坩堝，坩堝的頂部和底部分別設置有頂部加熱器和底部加熱器，頂部加熱器連接有頂部加熱電源，底部加熱器連接有底部加熱電源，頂部加熱電源和底部加熱電源為單獨控制。坩堝的側(cè)部設置有側(cè)部加熱器，側(cè)部加熱器為分段式結(jié)構(gòu)，每一段加熱器分別連接有分段加熱電源，多個分段加熱電源為單獨控制；該準單晶鑄錠加熱熱場結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)熱場溫度梯度分布，變化更均勻、平緩，以明顯降低晶體內(nèi)部的應力，抑制缺陷的產(chǎn)生和繁殖；同時構(gòu)造微凸的長晶界面，以促進單晶晶粒的優(yōu)勢生長，增大單晶面積。