一種將半導(dǎo)體襯底主體與其上功能層進(jìn)行分離的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510599390.3 申請日 -
公開（公告）號 CN106548972B 公開（公告）日 2019-02-26
申請公布號 CN106548972B 申請公布日 2019-02-26
分類號 H01L21/762;B32B43/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡兵;馬亮;裴曉將;劉素娟 申請（專利權(quán)）人 北京中科天順信息技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 胡兵
地址 210000 江蘇省南京市玄武區(qū)臺城花園5棟101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種將半導(dǎo)體襯底主體與其上功能層進(jìn)行分離的方法，包括以下步驟：在半導(dǎo)體襯底上表面進(jìn)行離子注入，離子注入深度為0.5μm?50μm，離子注入后在半導(dǎo)體襯底表面下產(chǎn)生一層離子損傷層；在半導(dǎo)體襯底上表面制備功能層；將半導(dǎo)體襯底和其上功能層進(jìn)行分離。本發(fā)明的方法在離子注入后的襯底上先進(jìn)行功能層的制備，然后在離子損傷層進(jìn)行分離，且本發(fā)明直接在半導(dǎo)體襯底表面進(jìn)行電子器件的制備，由于離子的注入深度決定了半導(dǎo)體襯底的厚度，本發(fā)明的半導(dǎo)體襯底具有與SOI薄膜相同的作用效果，且不需要鍵合工藝，減少了生產(chǎn)工藝，降低了生產(chǎn)成本。