一種制作氮化物外延層、襯底與器件晶圓的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410654422.0 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN104409593B 公開（公告）日 2017-08-22
申請公布號(hào) CN104409593B 申請公布日 2017-08-22
分類號(hào) H01L33/12(2010.01)I;H01L21/208(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬亮;胡兵;裴曉將;李金權(quán);劉素娟 申請（專利權(quán)）人 北京中科天順信息技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 江蘇巨晶新材料科技有限公司
地址 213241 江蘇省常州市金壇區(qū)朱林鎮(zhèn)金西工業(yè)園龍溪大道99號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種制作氮化物外延層、襯底與器件晶圓的方法，包括：至少使用一層具有類纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的氧化物薄膜作為犧牲層，來連接氮化物外延層和初始襯底；同時(shí)，使用化學(xué)剝離的方法來實(shí)現(xiàn)氮化物外延層與初始襯底的分離。本發(fā)明所選用的氧化物易于在化學(xué)溶液中分解，實(shí)現(xiàn)濕法刻蝕，為制作氮化物外延層、氮化物襯底或氮化物器件晶圓過程中所需的襯底剝離、襯底轉(zhuǎn)移和晶圓鍵合等工藝技術(shù)提供了有利條件，同時(shí)也保證了氮化物外延材料具有較高的晶體質(zhì)量。