一種光電探測裝置及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010632893.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111755536A 公開（公告）日 2020-10-09
申請公布號 CN111755536A 申請公布日 2020-10-09
分類號 H01L31/0232(2014.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 祁帆;蘇宗一;石彬;蔡鵬飛;潘棟 申請（專利權(quán)）人 NANO科技（北京）有限公司
代理機構(gòu) 北京京萬通知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 NANO科技（北京）有限公司
地址 100094北京市海淀區(qū)永豐路9號院2號樓4層101
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種光電探測裝置及其制造方法，該光電探測裝置包括：襯底，在所述襯底的頂部設(shè)置有波導(dǎo)層，所述波導(dǎo)層包括沿水平X軸方向設(shè)置的輸入段波導(dǎo)和探測段波導(dǎo)；所述探測段波導(dǎo)層的末端為波導(dǎo)后端面；雪崩倍增探測區(qū)，其設(shè)置在所述探測段波導(dǎo)層之上，包括沿豎直Z軸方向依次設(shè)置的倍增層、吸收層和頂接觸層；反射體，其沿水平X軸方向連接到所述波導(dǎo)后端面；其中，所述反射體由一維光子晶體、二維光子晶體或體塊材料中的一種構(gòu)成。本發(fā)明簡化了光電探測裝置中的反射體的設(shè)計結(jié)構(gòu)，降低了制造成本；增強了光電探測裝置的響應(yīng)度，允許光電探測裝置同時獲得較高的響應(yīng)度和較快的響應(yīng)速度。??