基于硅基可協(xié)變襯底制備氧化鋅薄膜的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210293497.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114664664A | 公開（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114664664A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-24 |
| 分類號(hào) | H01L21/365（2006.01）I;H01L27/12（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 倪明堂;趙健州;何立波;吳俊美 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廣東省智能機(jī)器人研究院 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 東莞卓為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 523000廣東省東莞市松山湖園區(qū)學(xué)府路1號(hào)5棟 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種基于硅基可協(xié)變襯底制備氧化鋅薄膜的方法，包括：選用頂部具有超薄硅單晶層的SOI材料作為硅基可協(xié)變襯底，放入MOCVD設(shè)備中；排凈MOCVD設(shè)備中反應(yīng)室中的空氣；在MOCVD設(shè)備中利用載氣通入鋅源，在襯底上生長(zhǎng)一層鋅隔離層；在MOCVD設(shè)備中利用載氣通入鋅源和氧源，使得在鋅隔離層上生長(zhǎng)氧化鋅薄膜；待反應(yīng)室壓強(qiáng)升至常壓，溫度降至常溫后，關(guān)閉載氣，從MOCVD設(shè)備中取出氧化鋅薄膜樣品。本發(fā)明采用頂部具有超薄硅單晶層的SOI材料作為可協(xié)變襯底，可以協(xié)調(diào)Si襯底上制備生長(zhǎng)的ZnO外延層的失配應(yīng)變，既降低了膜層內(nèi)積聚的殘余應(yīng)力，還提高了薄膜的生長(zhǎng)質(zhì)量。本發(fā)明的原材料和設(shè)備成本低，工藝簡(jiǎn)單，提高了樣品的清潔度和結(jié)晶質(zhì)量。 |
