一種氧化鋅的薄膜生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210290120.4 申請日 -
公開(公告)號 CN114574961A 公開(公告)日 2022-06-03
申請公布號 CN114574961A 申請公布日 2022-06-03
分類號 C30B25/18;C30B25/16;C30B29/16 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 倪明堂;趙健州;何立波;吳俊美 申請(專利權(quán))人 廣東省智能機(jī)器人研究院
代理機(jī)構(gòu) 東莞卓為知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 湯冠萍
地址 523000 廣東省東莞市松山湖園區(qū)學(xué)府路1號5棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種氧化鋅的薄膜生長方法,包括以下步驟:選用藍(lán)寶石襯底作為生長ZnO薄膜材料的襯底;將清洗過的襯底放在MOCVD設(shè)備的反應(yīng)室襯底底座上;將反應(yīng)室抽真空至3*10?3Pa以下,以排凈反應(yīng)室中的空氣;充入氮?dú)夂蜌錃獾幕旌蠚怏w對襯底進(jìn)行高溫預(yù)處理3?8min,高溫預(yù)處理的溫度為1000℃?1200℃;將襯底降溫到適合ZnO薄膜生長的溫度;打開反應(yīng)室襯底底座旋轉(zhuǎn)開關(guān),使得襯底勻速旋轉(zhuǎn);在MOCVD設(shè)備中利用載氣從襯底側(cè)面通入鋅源和氧源,鋅源和氧源在高速選擇中轉(zhuǎn)和加熱均勻的襯底上會合并反應(yīng),在襯底上生長成ZnO薄膜;關(guān)閉鋅源和氧源載氣,待反應(yīng)室壓強(qiáng)升至常壓,溫度降至常溫后從MOCVD設(shè)備中取出ZnO薄膜樣品。