一種低功耗升壓電路系統(tǒng)及電池保護(hù)芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111126717.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113852281A 公開（公告）日 2021-12-28
申請公布號(hào) CN113852281A 申請公布日 2021-12-28
分類號(hào) H02M3/07（2006.01）I;H02J7/00（2006.01）I;H02J7/34（2006.01）I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 孫登波 申請（專利權(quán)）人 上海咨芯微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海波拓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳亮
地址 200439上海市寶山區(qū)吉浦路545-551號(hào)4390室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低功耗升壓電路系統(tǒng)及電池保護(hù)芯片，其系統(tǒng)包括多級(jí)電荷泵升壓模塊，為MOSFET管提供高電壓；振蕩器模塊，為多級(jí)電荷泵升壓模塊提供振蕩源；低功耗電壓采樣模塊，采集多級(jí)電荷泵升壓模塊輸出的高電壓信號(hào)；比較器模塊，比較基準(zhǔn)電壓模塊與低功耗電壓采樣模塊采集的電壓，產(chǎn)生或恢復(fù)事件信號(hào)；邏輯處理模塊，處理比較器模塊產(chǎn)生的事件信號(hào)，開始或關(guān)閉多級(jí)電荷泵升壓模塊，還包括電池保護(hù)芯片，采用上述系統(tǒng)。本發(fā)明，通過低功耗電壓采樣模塊產(chǎn)生高電壓信號(hào)，用于控制鋰電池保護(hù)系統(tǒng)中的MOSFET管，通過提高控制MOSFET柵源電壓（VGS），降低MOSFET管的內(nèi)阻RON（RDS），從而提高鋰電池充電或放電的效率。