半導(dǎo)體器件及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710897542.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109585290B 公開（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN109585290B 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張海洋;紀(jì)世良 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣;吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體器件及其形成方法，其中方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底上具有鰭部；進(jìn)行圖形化工藝，在進(jìn)行圖形化工藝的過程中在半導(dǎo)體襯底和鰭部上形成平坦層；采用中性粒子束刻蝕工藝去除平坦層。所述方法提高了半導(dǎo)體器件的性能。