半導(dǎo)體器件及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711463341.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109979822B 公開（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN109979822B 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張城龍;涂武濤;王勝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣;吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體器件及其形成方法，其中方法包括：在半導(dǎo)體襯底和鰭部上形成介質(zhì)層，介質(zhì)層中具有暴露出鰭部的溝槽，溝槽包括暴露出部分鰭部的第一槽區(qū)和暴露出部分鰭部的第二槽區(qū)，自第一槽區(qū)中心至第二槽區(qū)中心的方向垂直于鰭部的延伸方向；在溝槽第一槽區(qū)和第二槽區(qū)的側(cè)壁和底部形成位于鰭部上的第一功函數(shù)層；在溝槽第一槽區(qū)中形成第一覆蓋層，第一覆蓋層位于第一槽區(qū)的第一功函數(shù)層上且暴露出第二槽區(qū)的第一功函數(shù)層；以第一覆蓋層為掩膜刻蝕去除第二槽區(qū)的第一功函數(shù)層；刻蝕去除第二槽區(qū)的第一功函數(shù)層后，在溝槽第二槽區(qū)中形成第二覆蓋層；刻蝕去除第二覆蓋層和第一覆蓋層。所述方法提高了半導(dǎo)體器件的性能。