納米線(xiàn)器件及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711275119.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109888014B 公開(kāi)（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN109888014B 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類(lèi)號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉軼群 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種納米線(xiàn)器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供襯底，所述襯底上具有前驅(qū)層；刻蝕所述前驅(qū)層，形成溝道納米線(xiàn)，所述溝道納米線(xiàn)的表面均屬于{111}晶面族。通過(guò)對(duì)所述溝道納米線(xiàn)表面結(jié)構(gòu)的選擇，為后續(xù)高質(zhì)量高K柵介質(zhì)層，甚至單晶結(jié)構(gòu)高K柵介質(zhì)層的形成提供良好的工藝基礎(chǔ)，進(jìn)而達(dá)到提高高K柵介質(zhì)層介電常數(shù)和致密度，改善所形成全包圍柵極結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能的目的。