半導(dǎo)體器件及其形成方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710907177.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109585534B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109585534B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-22 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 周飛 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣;吳敏 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種半導(dǎo)體器件及其形成方法，其中方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底上具有鰭部；在所述半導(dǎo)體襯底和鰭部上形成犧牲介質(zhì)層，犧牲介質(zhì)層中具有貫穿犧牲介質(zhì)層且位于鰭部上的柵開(kāi)口；在柵開(kāi)口中形成橫跨鰭部的柵極結(jié)構(gòu)；形成柵極結(jié)構(gòu)后，去除犧牲介質(zhì)層；去除犧牲介質(zhì)層后，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部中形成源漏摻雜層。所述方法提高了半導(dǎo)體器件的性能，且降低了工藝難度。 |
