半導體器件及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710907177.3 申請日 -
公開（公告）號 CN109585534B 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN109585534B 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周飛 申請（專利權）人 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
代理機構 北京集佳知識產權代理有限公司 代理人 徐文欣;吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體器件及其形成方法，其中方法包括：提供半導體襯底，半導體襯底上具有鰭部；在所述半導體襯底和鰭部上形成犧牲介質層，犧牲介質層中具有貫穿犧牲介質層且位于鰭部上的柵開口；在柵開口中形成橫跨鰭部的柵極結構；形成柵極結構后，去除犧牲介質層；去除犧牲介質層后，在柵極結構兩側的鰭部中形成源漏摻雜層。所述方法提高了半導體器件的性能，且降低了工藝難度。