半導(dǎo)體器件及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711482282.3 申請日 -
公開（公告）號 CN109994547B 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN109994547B 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周飛 申請（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣;吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體器件及其形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底上具有鰭部，鰭部包括若干層沿半導(dǎo)體襯底表面法線方向重疊的第一鰭部層、以及位于相鄰兩層第一鰭部層中的第二鰭部層；形成橫跨鰭部的偽柵極結(jié)構(gòu)；之后在偽柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成側(cè)墻；之后在偽柵極結(jié)構(gòu)和側(cè)墻兩側(cè)的鰭部內(nèi)形成第一凹槽；刻蝕第一凹槽底部的鰭部，形成第二凹槽；對第二凹槽側(cè)壁暴露出的鰭部摻雜第一離子；之后在第一凹槽和第二凹槽內(nèi)形成源漏摻雜層；之后在鰭部和隔離結(jié)構(gòu)上形成介質(zhì)層；之后去除偽柵極結(jié)構(gòu)和偽柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的第二鰭部層，在所述介質(zhì)層內(nèi)及相鄰的第一鰭部之間形成柵開口；在所述柵開口內(nèi)形成柵極結(jié)構(gòu)。所述方法提高了半導(dǎo)體器件的性能。