半導體器件及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810117271.3 申請日 -
公開（公告）號 CN110120345B 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN110120345B 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張煥云;吳健 申請（專利權）人 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 薛異榮;吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體器件及其形成方法，方法包括：提供基底，基底表面具有第一柵介質(zhì)膜；在部分第一柵介質(zhì)膜上形成第一柵電極層；形成位于第一柵介質(zhì)膜上的偏移側(cè)墻膜，偏移側(cè)墻膜覆蓋第一柵電極層側(cè)壁表面；之后在第一柵電極層兩側(cè)的基底中形成輕摻雜區(qū)；之后去除偏移側(cè)墻膜和第一柵電極層周圍的第一柵介質(zhì)膜，使第一柵電極層底部的第一柵介質(zhì)膜形成第一柵介質(zhì)層；形成覆蓋第一柵電極層和第一柵介質(zhì)層的全部側(cè)壁表面的間隙側(cè)墻；在第一柵電極層、第一柵介質(zhì)層和間隙側(cè)墻兩側(cè)的基底中分別形成源漏摻雜區(qū)；在源漏摻雜區(qū)和基底上形成介質(zhì)層；去除第一柵電極層和第一柵介質(zhì)層，在介質(zhì)層形成柵開口，柵開口的側(cè)壁有間隙側(cè)墻。所述方法提高了半導體器件性能。