半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710622580.1 申請日 -
公開（公告）號 CN109309005B 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN109309005B 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李勇;周鳴 申請（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供襯底以及位于襯底上分立的鰭部，襯底包括周邊區(qū)；在襯底上形成保護(hù)層，保護(hù)層至少露出鰭部頂部；形成保護(hù)層后，對鰭部進(jìn)行氧等離子體處理；去除保護(hù)層；去除保護(hù)層后，形成橫跨鰭部的柵氧化層，柵氧化層覆蓋鰭部的部分側(cè)壁和部分頂部表面。在氧等離子體處理的作用下，沿鰭部頂部指向底部的方向上，部分厚度的鰭部內(nèi)摻雜有氧離子，因此使得柵氧化層在鰭部頂部的生長速率加快，從而鰭部頂部的柵氧化層厚度增加，相應(yīng)降低周邊器件的柵誘導(dǎo)漏極漏電流，進(jìn)而改善周邊器件的電學(xué)性能和可靠性。