SRAM單元及其檢測(cè)方法、SRAM單元的檢測(cè)系統(tǒng)和SRAM器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710037835.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108320775B 公開(kāi)（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN108320775B 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類號(hào) G11C29/08（2006.01）I;G11C29/56（2006.01）I;G01R31/28（2006.01）I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 甘正浩 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 高靜;吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種SRAM單元及其檢測(cè)方法、SRAM單元的檢測(cè)系統(tǒng)和SRAM器件，SRAM單元包括：存儲(chǔ)單元，包括第一反相器和第二反相器；傳送單元，包括第一傳送門(mén)晶體管和第二傳送門(mén)晶體管，第一傳送門(mén)晶體管和第二傳送門(mén)晶體管的漏極分別與第一節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)電連接；字線，與第一傳送門(mén)晶體管柵極和第二傳送門(mén)晶體管柵極電連接；位線，包括第一位線和第二位線，第一位線和第二位線分別與第一傳送門(mén)晶體管和第二傳送門(mén)晶體管的源極電連接；與位線電連接的驅(qū)動(dòng)單元，用于同時(shí)向第二節(jié)點(diǎn)和第四節(jié)點(diǎn)加載低電平；與位線電連接的讀取單元，用于讀取第一上拉晶體管和第二上拉晶體管的輸出電流之和。通過(guò)所述SRAM單元可以偵測(cè)失效SRAM單元。