SRAM單元及其檢測方法、SRAM單元的檢測系統(tǒng)和SRAM器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710037835.8 申請日 -
公開（公告）號 CN108320775B 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN108320775B 申請公布日 2022-03-22
分類號 G11C29/08（2006.01）I;G11C29/56（2006.01）I;G01R31/28（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 甘正浩 申請（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 高靜;吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種SRAM單元及其檢測方法、SRAM單元的檢測系統(tǒng)和SRAM器件，SRAM單元包括：存儲單元，包括第一反相器和第二反相器；傳送單元，包括第一傳送門晶體管和第二傳送門晶體管，第一傳送門晶體管和第二傳送門晶體管的漏極分別與第一節(jié)點和第三節(jié)點電連接；字線，與第一傳送門晶體管柵極和第二傳送門晶體管柵極電連接；位線，包括第一位線和第二位線，第一位線和第二位線分別與第一傳送門晶體管和第二傳送門晶體管的源極電連接；與位線電連接的驅(qū)動單元，用于同時向第二節(jié)點和第四節(jié)點加載低電平；與位線電連接的讀取單元，用于讀取第一上拉晶體管和第二上拉晶體管的輸出電流之和。通過所述SRAM單元可以偵測失效SRAM單元。