基于平面S型結(jié)的耐高壓元件及制造工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910910852.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110518061A 公開（公告）日 2019-11-29
申請公布號 CN110518061A 申請公布日 2019-11-29
分類號 H01L29/06;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 潘旭捷;曲迪 申請（專利權(quán)）人 華慧高芯科技（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津市鼎和專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 華慧高芯科技（深圳）有限公司
地址 518052 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道軟件產(chǎn)業(yè)基地4棟A座702室A08
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于平面S型結(jié)的耐高壓元件及制造工藝，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，其特征在于：至少包括：單晶硅片、位于單晶硅片上表面的第二導(dǎo)電類型輕摻層、位于第二導(dǎo)電類型輕摻層一端的第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s層、位于第二導(dǎo)電類型輕摻層另一端的第二導(dǎo)電類型重?fù)綄印⑴c第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s層連通的第一電極、與所述第二導(dǎo)電類型重?fù)綄舆B通的第二電極；相鄰兩條導(dǎo)電類型輕摻層之間為第一絕緣層；每條導(dǎo)電類型輕摻層的兩側(cè)均為第一絕緣層；第二導(dǎo)電類型輕摻層、第一絕緣層、第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s層和第二導(dǎo)電類型重?fù)綄游挥谕黄矫鎯?nèi)；第一電極平行于上述導(dǎo)電類型輕摻層；第二電極平行于上述導(dǎo)電類型輕摻層；位于所述平面上的第一絕緣層。