基于平面S型結(jié)的耐高壓元件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201921614311.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN210866180U 公開(kāi)(公告)日 2020-06-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN210866180U 申請(qǐng)公布日 2020-06-26
分類(lèi)號(hào) H01L29/06(2006.01)I 分類(lèi) -
發(fā)明人 潘旭捷;曲迪 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 華慧高芯科技(深圳)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津市鼎和專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 代理人 華慧高芯科技(深圳)有限公司
地址 518052廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道軟件產(chǎn)業(yè)基地4棟A座702室A08
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于平面S型結(jié)的耐高壓元件,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,其特征在于:至少包括:?jiǎn)尉Ч杵?、位于單晶硅片上表面的第二?dǎo)電類(lèi)型輕摻層、位于第二導(dǎo)電類(lèi)型輕摻層一端的第一導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)诫s層、位于第二導(dǎo)電類(lèi)型輕摻層另一端的第二導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)綄印⑴c第一導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)诫s層連通的第一電極、與所述第二導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)綄舆B通的第二電極;相鄰兩條導(dǎo)電類(lèi)型輕摻層之間為第一絕緣層;每條導(dǎo)電類(lèi)型輕摻層的兩側(cè)均為第一絕緣層;第二導(dǎo)電類(lèi)型輕摻層、第一絕緣層、第一導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)诫s層和第二導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)綄游挥谕黄矫鎯?nèi);第一電極平行于上述導(dǎo)電類(lèi)型輕摻層;第二電極平行于上述導(dǎo)電類(lèi)型輕摻層;位于所述平面上的第二絕緣層。??