一種阻變存儲(chǔ)器及其制備方法、電子裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410494486.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105514264A 公開(kāi)（公告）日 2016-04-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN105514264A 申請(qǐng)公布日 2016-04-20
分類(lèi)號(hào) H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 康勁;卜偉海 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市磐華律師事務(wù)所 代理人 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心（北京）有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種RRAM及其制備方法、電子裝置，所述方法包括：提供下電極；在所述下電極上形成介電層；在所述介電層中形成溝槽/通孔，所述溝槽/通孔底部暴露出所述下電極；在所述溝槽/通孔中依次形成阻擋層、阻變材料層和犧牲層；去除部分所述犧牲層；去除所述阻變材料層和所述阻擋層未被剩余的犧牲層覆蓋的部分；去除所述剩余的犧牲層；以及在所述溝槽/通孔中形成上電極。根據(jù)本發(fā)明提供的RRAM的制備方法，在介電層和阻變材料層之間加入一阻擋層，可以避免介電層中的氧與阻變材料層進(jìn)行交換，從而避免阻變材料層的阻變特性發(fā)生改變。因此，本發(fā)明提供的方法可以改善RRAM器件的可靠性和穩(wěn)定性。