半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010271232.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113496896A 公開（公告）日 2021-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN113496896A 申請(qǐng)公布日 2021-10-12
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L29/788（2006.01）I;H01L27/11548（2017.01）I;H01L27/11529（2017.01）I;H01L27/11524（2017.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪涵;胡建強(qiáng);鄭凱;楊蕓;高穎 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海知錦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 高靜
地址 102600北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道18號(hào)9幢一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成浮柵；圖形化浮柵和基底，在基底中形成多條沿列向延伸且沿行向排布的隔離結(jié)構(gòu)；刻蝕位于單元陣列區(qū)的相鄰隔離結(jié)構(gòu)之間的部分浮柵，形成開口，沿列向貫穿單元陣列區(qū)、相鄰第一過渡區(qū)和第二過渡區(qū)及部分選擇柵區(qū)；對(duì)單元陣列區(qū)和第一過渡區(qū)及相鄰部分選擇柵區(qū)沿行向第二側(cè)進(jìn)行第一單側(cè)離子注入，形成第一漏區(qū)；對(duì)單元陣列區(qū)和第二過渡區(qū)及相鄰部分選擇柵區(qū)沿行向第一側(cè)進(jìn)行第二單側(cè)離子注入，形成第二漏區(qū)。本發(fā)明有利于提升半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。