測(cè)量晶圓電阻率的裝置及方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201310261115.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN104251935B | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-03-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN104251935B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-03-06 |
| 分類號(hào) | G01R27/02 | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 李廣寧;唐強(qiáng);許亮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心（北京）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提出一種測(cè)量晶圓電阻率的裝置及方法，所述裝置包括，測(cè)量頭盤(pán)、測(cè)量頭、位移桿以及旋轉(zhuǎn)馬達(dá)；測(cè)量頭設(shè)置于測(cè)量頭盤(pán)的一面，測(cè)量頭分第一組測(cè)量頭和第二組測(cè)量頭，第二組測(cè)量頭的頭部曲率半徑比第一組測(cè)量頭的頭部曲率半徑大；位移桿設(shè)置于測(cè)量頭與測(cè)量頭盤(pán)之間，旋轉(zhuǎn)馬達(dá)設(shè)置于測(cè)量頭盤(pán)的另一面；在使用第一組測(cè)量頭對(duì)待測(cè)晶圓表面的薄膜進(jìn)行第一次測(cè)量之后對(duì)初次結(jié)果進(jìn)行分析，若初次結(jié)果存在異常則說(shuō)明第一組測(cè)量頭扎穿了待測(cè)晶圓表面的薄膜，使用頭部曲率半徑更大的第二組測(cè)量頭對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行第二次測(cè)量，不易扎穿述待測(cè)晶圓表面的薄膜，從而能夠得到準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果。 |
