一種阻變存儲器及其制備方法、電子裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410494486.9 申請日 -
公開（公告）號 CN105514264B 公開（公告）日 2018-09-21
申請公布號 CN105514264B 申請公布日 2018-09-21
分類號 H01L45/00;H01L27/24 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 康勁;卜偉海 申請（專利權(quán)）人 北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心（北京）有限公司
代理機構(gòu) 北京市磐華律師事務(wù)所 代理人 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心（北京）有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種RRAM及其制備方法、電子裝置，所述方法包括：提供下電極；在所述下電極上形成介電層；在所述介電層中形成溝槽/通孔，所述溝槽/通孔底部暴露出所述下電極；在所述溝槽/通孔中依次形成阻擋層、阻變材料層和犧牲層；去除部分所述犧牲層；去除所述阻變材料層和所述阻擋層未被剩余的犧牲層覆蓋的部分；去除所述剩余的犧牲層；以及在所述溝槽/通孔中形成上電極。根據(jù)本發(fā)明提供的RRAM的制備方法，在介電層和阻變材料層之間加入一阻擋層，可以避免介電層中的氧與阻變材料層進行交換，從而避免阻變材料層的阻變特性發(fā)生改變。因此，本發(fā)明提供的方法可以改善RRAM器件的可靠性和穩(wěn)定性。