一種半導(dǎo)體器件的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210398960.9 申請日 -
公開（公告）號 CN103779277B 公開（公告）日 2017-06-13
申請公布號 CN103779277B 申請公布日 2017-06-13
分類號 H01L21/8238(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 卜偉海;謝欣云;俞少峰 申請（專利權(quán)）人 北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心（北京）有限公司
代理機構(gòu) 北京市磐華律師事務(wù)所 代理人 董巍;高偉
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：步驟S101：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括NMOS區(qū)和PMOS區(qū)，所述NMOS區(qū)包括NMOS的柵極結(jié)構(gòu)，所述PMOS區(qū)包括PMOS的柵極結(jié)構(gòu)；步驟S102：在所述半導(dǎo)體襯底上形成一層保護層；步驟S103：刻蝕所述保護層以形成所述PMOS的柵極側(cè)壁；步驟S104：在所述PMOS的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上刻蝕出凹槽；步驟S105：在所述凹槽中形成鍺硅層；步驟S106：刻蝕所述保護層以形成所述NMOS的柵極側(cè)壁；步驟S107：同時形成NMOS的抬升的源極和漏極及PMOS的抬升的源極和漏極。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，僅僅需要形成一次保護層，而且將形成NMOS和PMOS的抬升的源漏極集成在一個步驟之中，因此，簡化了制造工藝，降低了成本。