光刻設(shè)備的微粒檢測(cè)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610236693.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107301959A 公開(kāi)（公告）日 2017-10-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN107301959A 申請(qǐng)公布日 2017-10-27
分類號(hào) H01L21/66(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 葉逸舟;楊曉松;樊佩申;陳杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心（北京）有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種光刻設(shè)備的微粒檢測(cè)方法。本發(fā)明的光刻設(shè)備的微粒檢測(cè)方法包括：提供晶圓；傳遞所述晶圓至所述光刻設(shè)備中，并通過(guò)光刻工藝在所述晶圓上形成微粒采集結(jié)構(gòu)；對(duì)所述晶圓進(jìn)行旋轉(zhuǎn)沖洗，使得微粒聚集在所述微粒采集結(jié)構(gòu)的邊緣；刻蝕所述晶圓的部分厚度，在微粒處進(jìn)行傾斜刻蝕，使得所述微粒下方產(chǎn)生錐狀突起；檢測(cè)所述晶圓。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明在刻蝕后，形成了錐狀突起，從而使得檢測(cè)設(shè)備能夠檢測(cè)到，達(dá)到了發(fā)現(xiàn)光刻設(shè)備中粒徑小于檢測(cè)設(shè)備極限的微粒，防止了這些微粒對(duì)產(chǎn)品的影響，有利于提高產(chǎn)品的良率。