光刻設備的微粒檢測方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610236693.3 申請日 -
公開（公告）號 CN107301959B 公開（公告）日 2019-09-17
申請公布號 CN107301959B 申請公布日 2019-09-17
分類號 H01L21/66（2006.01）I; G03F7/20（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 葉逸舟; 楊曉松; 樊佩申; 陳杰 申請（專利權）人 北方集成電路技術創(chuàng)新中心（北京）有限公司
代理機構 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;北方集成電路技術創(chuàng)新中心（北京）有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種光刻設備的微粒檢測方法。本發(fā)明的光刻設備的微粒檢測方法包括：提供晶圓；傳遞所述晶圓至所述光刻設備中，并通過光刻工藝在所述晶圓上形成微粒采集結(jié)構；對所述晶圓進行旋轉(zhuǎn)沖洗，使得微粒聚集在所述微粒采集結(jié)構的邊緣；刻蝕所述晶圓的部分厚度，在微粒處進行傾斜刻蝕，使得所述微粒下方產(chǎn)生錐狀突起；檢測所述晶圓。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明在刻蝕后，形成了錐狀突起，從而使得檢測設備能夠檢測到，達到了發(fā)現(xiàn)光刻設備中粒徑小于檢測設備極限的微粒，防止了這些微粒對產(chǎn)品的影響，有利于提高產(chǎn)品的良率。