一種用于超級電容器的聚丙烯腈/二硫化鉬復合材料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711481492.0 申請日 -
公開（公告）號 CN108305789B 公開（公告）日 2020-04-07
申請公布號 CN108305789B 申請公布日 2020-04-07
分類號 H01G11/24;H01G11/30;H01G11/48;B82Y30/00;B82Y40/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 袁宇丹;易若瑋;李佳琦;孫藝;趙胤超;劉晨光;孫偉;楊莉;趙春;趙策洲 申請（專利權(quán)）人 烯晶碳能大安科技無錫有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 代理人 無錫烯晶碳能新材料科技有限公司;西安交通大學;西交利物浦大學
地址 710049 陜西省西安市咸寧西路28號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 發(fā)明公開了一種用于超級電容器的聚丙烯腈/二硫化鉬復合材料的制備方法。將二水鉬酸鈉(Na2MoO4·2H2O)、硫脲(CH4N2S)與聚甲基丙烯酸甲酯/聚丙烯腈(PMMA/PAN)核殼結(jié)構(gòu)混合均勻，經(jīng)過水熱反應后高溫碳化，得到MoS2/PAN復合材料。本發(fā)明公開的制備方法采用PMMA作為模板形成具有均勻大孔的PAN中空球狀結(jié)構(gòu)，并在PAN表面生長MoS2納米花，既方便電解液離子的輸運，又有較高的比表面積，有利于形成雙電層。而且整個制備工藝簡單，綠色環(huán)保。