一種發(fā)光二極管的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110196359.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102244162B 公開（公告）日 2013-03-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN102244162B 申請(qǐng)公布日 2013-03-13
分類號(hào) H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于彤軍;龍浩;賈傳宇;楊志堅(jiān);張國(guó)義 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京燕園中鎵半導(dǎo)體工程研發(fā)中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京萬(wàn)象新悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 蘇愛華
地址 100080 北京市海淀區(qū)海淀路52號(hào)1705室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種LED的制備方法，屬于光電子器件的制備領(lǐng)域。該方法包括如下步驟：在襯底上形成由碳納米管與InN或高In組分的InGaN外延層材料組成的過(guò)渡層；在上述過(guò)渡層上生長(zhǎng)LED外延片；對(duì)LED外延片進(jìn)行光刻、刻蝕、沉積電極、封裝工藝，制備正裝結(jié)構(gòu)LED；或轉(zhuǎn)移襯底，對(duì)襯底進(jìn)行激光剝離、分離，再進(jìn)行光刻、刻蝕、沉積電極、封裝工藝，制備垂直結(jié)構(gòu)LED。本發(fā)明不僅可以改善晶體質(zhì)量，而且可以實(shí)現(xiàn)應(yīng)力的調(diào)控。